[Circuit] MOSFET 特性

電路知識:MOSFET 特性

簡介:特性與運用
以下皆以 NMOS 進行討論, PMOS 可參考公式進行推導


電流公式

只限於 Saturation
λ 的量級約為小數點第二位甚至更小,取決於製程參數
ID=k(VGSVTh)2(1+λVDS) 此時 VTh>VGD=VGSVDS

DC 負載線

可用 DC 負載線判斷工作模式,通常 spec 不會有 k 值,所以只能用此方法判斷
假設 VDS=0 得 Y 軸上的點
假設 ID=0 得 X 軸上的點

三種工作模式

  • Cut-off
    • 滿足以下任一條件
      • VGS<VTh
      • ID=0
      • VDS=VDD 
    • 開關使用
  • Triode (Linear)
    • 滿足以下任一條件
      • VGS>VThVGD>VTh
      • ID<k(VGSVth)2(1+λVDS) 
      • VDS<VGSVTh 
    • 開關使用
  • Saturation
    • 滿足以下任一條件
      • VGS>VThVGD<VTh
      • ID=k(VGSVth)2(1+λVDS) 
      • VDS>VGSVTh 
    • 訊號放大使用

參考

MOSFET as a Switch
How an n-Channel MOSFET works
場效電晶體之特性與偏壓
What happens when an NMOS is connected to Vdd and a PMOS to Vss?
Digital circuits

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