電路知識:MOSFET 特性
簡介:特性與運用
以下皆以 NMOS 進行討論, PMOS 可參考公式進行推導
\(\lambda\) 的量級約為小數點第二位甚至更小,取決於製程參數
假設 \(V_{DS}=0\) 得 Y 軸上的點
假設 \(I_D=0\) 得 X 軸上的點
How an n-Channel MOSFET works
場效電晶體之特性與偏壓
What happens when an NMOS is connected to Vdd and a PMOS to Vss?
Digital circuits
簡介:特性與運用
以下皆以 NMOS 進行討論, PMOS 可參考公式進行推導
電流公式
只限於 Saturation\(\lambda\) 的量級約為小數點第二位甚至更小,取決於製程參數
$$
I_D=k(V_{GS}-V_{Th})^2(1+\lambda V_{DS})\\
$$
此時
$$ V_{Th}>V_{GD}= V_{GS}-V_{DS}
$$
DC 負載線
可用 DC 負載線判斷工作模式,通常 spec 不會有 k 值,所以只能用此方法判斷假設 \(V_{DS}=0\) 得 Y 軸上的點
假設 \(I_D=0\) 得 X 軸上的點
三種工作模式
- Cut-off
- 滿足以下任一條件
- \(V_{GS}<V_{Th}\)
- \(I_D=0\)
- \(V_{DS}=V_{DD}\)
- 開關使用
- Triode (Linear)
- 滿足以下任一條件
- \(V_{GS}>V_{Th}\),\(V_{GD}>V_{Th}\)
- \(I_D<k(V_{GS}-V_{th})^2(1+\lambda V_{DS})\)
- \(V_{DS}<V_{GS}-V_{Th}\)
- 開關使用
- Saturation
- 滿足以下任一條件
- \(V_{GS}>V_{Th}\),\(V_{GD}<V_{Th}\)
- \(I_D=k(V_{GS}-V_{th})^2(1+\lambda V_{DS})\)
- \(V_{DS}>V_{GS}-V_{Th}\)
- 訊號放大使用
參考
MOSFET as a SwitchHow an n-Channel MOSFET works
場效電晶體之特性與偏壓
What happens when an NMOS is connected to Vdd and a PMOS to Vss?
Digital circuits
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